您的位置: 企业日报> 科技> 本文

亚成微推出ZVS反激开关电源芯片RM6801S

发布时间: 2020-07-20 16:37:07      来源:网络      作者:匿名
导读

本文是来自匿名的投稿,由编辑关于亚成微推出ZVS反激开关电源芯片RM6801S的内容介绍

近年来,手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便,随着快充技术的迅速发展,更快速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求,而对于各大充电器厂商来说,大功率、高效率、小体积、安全稳定的高功率密度快充方案将成为这场战役中的制胜关键。

在传统以及准谐振反激形式应用中,由于MOS导通时的电压较高(基本都在150V以上),特别是高压的输入条件下,会有较高的开关损耗及DI/Dt造成的EMI干扰,影响系统效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出现,很好的解决了这些痛点。

亚成微推出ZVS反激开关电源芯片RM6801S

说到ZVS(零电压开关技术)反激,相信大家并不陌生,早在2018年,华为在mate20发布会上推出的40W SuperCharge超级快充充电器,就采用了英飞凌ZVS反激快充方案,这也是ZVS反激的首次商用,该方案具有小体积、大功率、高效率等特点,有效的提高了产品效率及功率密度,因而在华为旗舰机标配超级快充中一直被沿用。

而作为一家国内领先的模拟IC设计公司,亚成微电子于近期成功推出了国内首款ZVS反激式开关电源芯片RM6801S,填补了国内空白。RM6801S是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片,内置700V高压启动,X-cap放电,可调交流输入Brown in/out等功能,工作频率高达130Khz,全电压范围内待机功耗小于65mW,满足六级能效标准,并且支持CCM/QR混合模式以及拥有完备的各种保护功能,专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗,改善EMI特性。采用分段驱动技术,搭配超结MOSFET(CoolMOS),并兼容直驱E-MODE GaN功率器件版本,提高产品效率及功率密度,简化EMI滤波电路设计,降低EMI器件成本,完美应用于大功率快速充电器。

亚成微推出ZVS反激开关电源芯片RM6801S

亚成微电子是一家专注于高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,2014年1月在新三板挂牌(股票代码430552)。拥有由海归博士领衔的国内一流研发团队,自主研发的产品已获得国家专利55项,国际专利2项,另有50余项专利正在受理中,其中包含国际专利3项。

主要产品包括为5G通信设备提供关键的核心芯片ET- PA;物联网终端及可穿戴设备用的高功率密度DC-DC电源芯片(MHz);LED驱动芯片和AC-DC电源管理芯片,在USB PD快充领域,亚成微致力于为客户提供高功率密度快充解决方案,目前已推出了采用新一代PWM控制技术(自供电双绕组架构)的初级主控芯片RM6715S、RM6717S以及内置coolMOS的QR方案RM6514S、RM6517D。同时又配套推出了内置SGT MOS的次级同步整流芯片RM3405SH、RM3412SH和RM3413SH。

本文网址:http://sczbz.com/keji/1000278.html

郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时间联系我们修改或删除,多谢。

周点击排行榜