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我国12英寸晶圆本土自给率已达约50% 我国加速扩产7nm至5nm级先进芯片

发布时间:2026-05-06 14:54:45    作者:xjh    来源:    浏览量:44   

 如果把芯片制造想象成在指甲盖大小的面积上修建一座精密无比的城市,那么晶圆就是这座城市的“地基”。而12英寸晶圆正是当前全球半导体制造的主流规格,几乎所有先进制程的芯片——从手机处理器到人工智能训练芯片——都在这张看似普通的硅片上完成雕刻。长期以来,这张“地基”的供应格局被日本信越化学、胜高以及中国台湾环球晶等少数国际巨头牢牢把控,国产自给率一度不足一成。

 这一局面在近年来被彻底改写。根据行业分析机构伯恩斯坦研究公司发布的估算数据,截至2025年,国内12英寸硅晶圆的本土自给率已攀升至约50%。从更宏观的全球产能维度来看,中国半导体厂商的12英寸硅晶圆产能全球占有率已从2020年的3%急速跃升至2025年的28%,2026年这一数字有望进一步扩大至32%。这意味着,全球硅晶圆市场版图的中心正在悄然东移。而从更深远的角度来看,有关消息也透露,一个更为大胆的目标正在浮出水面:今年国内芯片制造商使用的硅晶圆中,超过70%必须来自本土供应,这项要求已在不言之中成为国内芯片厂商的一条不成文的硬性规矩,海外供应商仅能参与剩余约30%的市场份额。8英寸硅晶圆此前早已基本实现自给自足,而12英寸晶圆“50%自给”的里程碑达成,标志着本土硅材料供应链进入了全尺寸自主覆盖的新阶段。

我国12英寸晶圆本土自给率已达约50% 我国加速扩产7nm至5nm级先进芯片

 两个百城之间的较量——12英寸硅晶圆产能加速扩张

 支撑12英寸晶圆本土自给率大幅跃升的内在驱动力,来自国内硅材料厂商近年来近乎疯狂的产能扩张步伐。其中,西安奕斯伟材料无疑是这一轮扩产大潮中最为引人瞩目的核心力量。这家被业内人士视为“国产硅片黑马”的企业,计划在2026年同步推进西安与武汉的两处生产基地,将12英寸硅晶圆的月产能提升至120万片,预计可以包揽国内四成的市场需求。这一体量放在全球坐标系中也颇具分量——奕斯伟的全球市场占有率预计将突破10%,并且产品已打入中芯国际、华虹半导体、长鑫存储、长江存储等国内头部晶圆厂的供应链,甚至包括美光、联电以及正在进行产品验证的三星与SK海力士等国际巨头的采购名单也赫然在列。

 100万片级的产能扩建并非一日之功。但真正的赛道上远不止奕斯伟一匹黑马。国内硅晶圆领域的另一张王牌沪硅产业,2026年的12英寸月产能已达到65万片,主要覆盖28纳米和40纳米制程所需的高品质外延片和抛光片;这家龙头企业的远期目标更为宏大:到2027年将月产能推向200万片,2030年突破每月300万片的大关,按此蓝图推算,届时沪硅产业将占据国内四成以上的份额,并向全球前三席位发起冲击。与此同时,TCL中环的12英寸轻掺硅晶圆已通过台积电与英飞凌的认证,目前处于批量供应前夕的最后验证阶段,当前月产能约70万片,2026年规划进一步扩至每月100万片。杭州立昂微、上海合晶等一线梯队也在同步推进新建产线和技改项目,构成了本土硅材料供应链从单一扩散到多元并进的蓬勃生态。

我国12英寸晶圆本土自给率已达约50% 我国加速扩产7nm至5nm级先进芯片

 算力牵引下的跃迁——7nm与5nm级先进芯片加速扩产

 硅晶圆自主化保障了“地基”的稳固,真正决定国产芯片产业高度的,则在于最核心的芯片制造能力——特别是在7nm乃至5nm级工艺节点上的突破与产能扩建。在AI算力需求呈指数级增长的背景下,算力大厦的每一块“砖”都需要最先进的制程工艺来浇筑。据相关消息透露,中芯国际、华虹半导体等主要芯片制造商正在全速推进先进芯片产能的扩张计划,目标是在未来一到两年内,将先进制程芯片的月产量从当前不到2万片一举提升至10万片,增幅达到五倍。更长期的宏图还在后面——到2030年,预计将再新增50万片的晶圆产能,为中国在全球AI基础设施建设和高端逻辑芯片赛道上铺下更为厚实的跑道路基。

 在技术层面,中芯国际的进步速度令人印象深刻。在完全无法获得极紫外光刻设备的外部条件下,中芯国际依靠成熟的深紫外(DUV)光刻设备和多重曝光工艺的组合,成功实现了7nm“N+2”工艺的量产,目前的产能已达到每月5万片以上,并且良率数据不断爬坡,在应用端已成功搭载华为麒麟系列手机芯片以及多款国产AI训练芯片。更令人关注的是,中芯国际已将工艺的接力棒交到了“N+3”工艺的手中——这是一种“等效5.5nm”级别的技术方案,同样使用DUV光刻机配合四次图案化(SAQP)方式实现,相关产品已在华为麒麟9030系列芯片上大规模量产,性能跑分数据对标国际一线旗舰平台。在整个产业生态中,华虹半导体已一改过去专注成熟制程的战略定位,也在积极投身于更加先进的节点之中。这场由人工智能算力引爆的扩产浪潮,正在将中国芯片产业推入一个以7nm为基准、面向5nm的高目标竞赛节奏中。

我国12英寸晶圆本土自给率已达约50% 我国加速扩产7nm至5nm级先进芯片

 关键设备的星星之火——国产半导体装备的破局曙光

 半导体产业内有一句广为流传的实话:“造芯片就是造设备”。没有一台运行稳定的光刻机,之前畅谈的所有先进产能扩张都无异于纸上谈兵。而正是在这曾经最“卡脖子”的领域,国产装备正悄然点亮点点星光。在2026年的国际半导体展览会上,国产28nm浸没式DUV光刻机的相关信息首次以官方形式对外披露:该设备已完成百片晶圆的流片验证环节,整机的国产化率一举突破85%,年内将正式启动首批商业化交付。这一突破释放出的信号清晰而强烈——无需多重曝光,这台浸没式设备即可直接支持28nm芯片的大规模稳定生产;而经过多重曝光工艺的叠加使用,甚至可以用于7nm乃至更精密节点的芯片制造。

 这台设备不仅意味着国产光刻机正式跨入了浸没式技术的门槛,更预示着中国先进制程产能扩张的“天花板”正在被实质性抬升。有产业分析表明,当前国内半导体设备的总体国产使用率已从2025年的约25%迅速提高至35%,其中在28nm及以上成熟制程产线,国产设备的覆盖率已超过80%。与此同时,大基金三期首期募资的930亿元已全部到位,资金重点投向光刻机及核心零部件领域,目标直指成熟制程的全自主掌控。站在2026年的中间点上回望,从硅片上诞生的每一颗自研芯片,背后都承载着一条更长、更坚韧的国产设备与材料链条,而站在万物数字化的十字路口,这份底气正在转化为产业长久发展的核心引擎。


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